（1）HYUNDAI（現(xiàn)代）

現(xiàn)代的內(nèi)存顆?，F(xiàn)在都改名為Hynix了，不過舊顆粒上還是印有HYUNDAI的標(biāo)志。其SDRAM芯片編號格 式 為：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s， 具體的編號含義可以在現(xiàn)代的網(wǎng)站上找到： 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品： 5<1>表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； <2> 代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)； <345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、 4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、 16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）； <67> 代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）； <8> 代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系）； <9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）； <10> 代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）； <11.12>代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）； <13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或 3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

另外，以前LGS(LG Semicon)也是韓國的一大內(nèi)存芯片廠商，但后來被HY兼并。LGS SDRAM內(nèi)存芯片編號格式 為：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10> 其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；V代表3.3V；<12>代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；& lt;34>表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；<5>代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；1代表I/O接 口：LVTTL；<6>表示內(nèi)核版本；<7>代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；<8>代表封裝（T=常見的 TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；<9.10>代表速度 （7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或 3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。 以上的內(nèi)存編號只是屬于舊編號，下面是現(xiàn)代最新編號的規(guī)則，不過大體上還是相同，這里就不再重復(fù)了。

（2）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星內(nèi)存也是市場上常見的內(nèi)存芯片之一 。三星SDRAM內(nèi)存芯片編號規(guī)則可以看看下面詳細(xì)的列表： 除了DRAM，我們還可以了解一下RDRAM的芯片編號： 三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號，以KM418RD8C為例： KM表示三星內(nèi)存； 4代表RAM種類（4=DRAM）； 18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）； RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）； 8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）； C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL-CSP）； 80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（3）Kingmax(勝創(chuàng))

Kingmax內(nèi)存采用TinyBGA的封裝方式，所以芯片大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一。在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三 倍，而且體積更小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)定性。 Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存實際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上 CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該類型內(nèi)存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X芯片組主板兼容問題，因此要好于REV1.1版本。 KINGMAX PC150內(nèi)存最后兩位編號為-6，PC-133內(nèi)存最后兩位編號為-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。

（4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條)

金邦金條分為“金、紅、綠、銀、藍(lán)”五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應(yīng)不同的主板。其中： 紅色金條是PC133內(nèi)存； 金色金條針對PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板； 綠色金條是PC100內(nèi)存； 藍(lán)A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家； 藍(lán)V色金條針對KX133主板；藍(lán)T色金條針對KT-133主板； 銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。 金邦內(nèi)存芯片編號：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片類型 GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP； GP代表金邦科技的產(chǎn)品； 6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）； LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）； 16M8是設(shè)備號碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量； 8 = 基粒數(shù)目； M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）； 4表示版本； TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）； -7是存取時間（7=7ns（143MHz））； AMIR是內(nèi)部標(biāo)識號。 以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP II封裝，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。

(5)Winbond(華邦)

Winbond(華邦)的顯存編號和現(xiàn)代差不多，其編號規(guī)格為：W <12> <34> <56> <78> W代表Winbond； <12>代表顯存類型，98為SDRAM，94為DDRRAM； <34>代表顆粒的容量（08=8Mbits，16=16Mbits，64=64Mbits，12=128Mbits，25=256Mbits） <56>代表顆粒的位寬（16=16bit，32=32bit，G6=16bitBGA封裝，G2=32bitBGA封裝 ） <78>代表顆粒的版本號和封裝（7代表版本號，常見的版本號為B和H；8代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝）

通過以上就改好了。

好了之后用JTAG刷好CFE，刷好CFE之后用TFTP刷固件。