FBGA是一種在底部有焊球的面陣引腳結(jié)構(gòu)，使封裝所需的安裝面積接近于芯片尺寸。

BGA發(fā)展來(lái)的FBGA封裝技術(shù)正在逐漸展現(xiàn)它生力軍本色，金士頓、勤茂科技等領(lǐng)先內(nèi)存制造商已經(jīng)推出了采用FBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。

FBGA作為新一代的芯片封裝技術(shù)，在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上，F(xiàn)BGA的性能又有了革命性的提升。FBGA封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1：1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1：1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。這樣在相同體積下，內(nèi)存條可以裝入更多的芯片，從而增大單條容量。

也就是說(shuō)，與BGA封裝相比，同等空間下FBGA封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍，展示了三種封裝技術(shù)內(nèi)存芯片的比較，從中我們可以清楚的看到內(nèi)存芯片封裝技術(shù)正向著更小的體積方向發(fā)展。

FBGA封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。FBGA封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當(dāng)大的提高。

在相同的芯片面積下FBGA所能達(dá)到的引腳數(shù)明顯的要比TSOP、BGA引腳數(shù)多的多(TSOP最多304根，BGA以600根為限，F(xiàn)BGA原則上可以制造1000根)，這樣它可支持I?O端口的數(shù)目就增加了很多。

此外，F(xiàn)BGA封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效的縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得FBGA的存取時(shí)間比BGA改善15%-20%。

在FBGA的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過(guò)一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上，由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大，所以?xún)?nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去;而傳統(tǒng)的TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過(guò)芯片引腳焊在PCB板上的，焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱就相對(duì)困難。

FBGA封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，F(xiàn)BGA的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。測(cè)試結(jié)果顯示，運(yùn)用FBGA封裝的內(nèi)存可使傳導(dǎo)到PCB板上的熱量高達(dá)88.4%，而TSOP內(nèi)存中傳導(dǎo)到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由于FBGA芯片結(jié)構(gòu)緊湊，電路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的電功率消耗，致使芯片耗電量和工作溫度相對(duì)降低。

目前內(nèi)存顆粒廠在制造DDR333和DDR400內(nèi)存的時(shí)候均采用0.175微米制造工藝，良品率比較低。而如果將制造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話，良品率將大大提高。而要達(dá)到這種工藝水平，采用FBGA封裝方式則是不可避免的。因此FBGA封裝的高性能內(nèi)存是大勢(shì)所趨。

FBGA僅僅是元件的一種封裝形式，只為減小體積，同時(shí)稍微提高一點(diǎn)速度。你的計(jì)算機(jī)根本不需要考慮這個(gè)問(wèn)題，只需要安裝合適的驅(qū)動(dòng)即可。內(nèi)存只需要根性的內(nèi)存速度即可。