什么是單面和雙面內(nèi)存?它們有些什么樣的特性與區(qū)別呢?下面咱們就細(xì)細(xì)道來。

何謂內(nèi)存BANK

一般而言，各位注意了，是一般而言，單面內(nèi)存每條擁有一組BANK，而雙面的內(nèi)存則每條提供了兩組的BANK，之所以要強(qiáng)調(diào)一般而言我會(huì)在文中加以闡明?！裁?不知道BANK為何物?好!那我就來解釋一下BANK先。 內(nèi)存的BANK其實(shí)分為兩部分，邏輯BANK和物理BANK。

先來講講邏輯BANK。芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位(bit)為單位寫入一張大的矩陣中，每個(gè)單元格我們稱為CELL，只要指定一個(gè)行(Row)，再指定一個(gè)列(Column)，就可以準(zhǔn)確地定位到某個(gè)CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。這樣的一個(gè)陣列我們就叫它內(nèi)存的邏輯BANK(Logical BANK)。

再來說說物理BANK。通常主板上的每個(gè)內(nèi)存插槽分為兩段，這個(gè)大家從VIA主板BIOS設(shè)置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項(xiàng)很容易推理得到，實(shí)際上也就是兩個(gè)BANK，不過這里的BANK概念與我們前面分析芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)時(shí)提到的BANK可不一樣。

簡單地說這個(gè)BANK就是內(nèi)存和主板上的北橋芯片之間用來交換數(shù)據(jù)的通道，目前以SDRAM系統(tǒng)為例，CPU與內(nèi)存之間(就是CPU到DIMM槽)的接口位寬是64bit，也就意味著CPU一次會(huì)向內(nèi)存發(fā)送或從內(nèi)存讀取64bit的數(shù)據(jù)，那么這一個(gè)64bit的數(shù)據(jù)集合就是一個(gè)內(nèi)存條BANK，很多廠家的產(chǎn)品說明里稱之為物理BANK(Physical BANK)。

目前絕大多數(shù)的芯片組都只能支持一根內(nèi)存包含兩個(gè)物理BANK，但是針對(duì)某個(gè)具體的條子，很多人想當(dāng)然，認(rèn)為每個(gè)DIMM插槽使用內(nèi)存條的面數(shù)來區(qū)分占用幾個(gè)BANK通道，單面的(16M，64M)只占用一個(gè)物理BANK，而雙面的(32M，128M)則需占用兩個(gè)物理BANK。實(shí)際上物理BANK與面數(shù)是無關(guān)的，PCB電路可以設(shè)計(jì)成雙面和單面，也可把全部芯片(16顆)放在一面上(至少從理論上是完全可能)。

有些內(nèi)存條單面就是一個(gè)物理BANK，但有些雙面才是一個(gè)物理BANK，所以不能一概而論。256MB內(nèi)存條就是一個(gè)典型的例子，雖然是雙面并多達(dá)16枚芯片，但仍然是單個(gè)物理BANK的。要準(zhǔn)確知道內(nèi)存條實(shí)際物理BANK數(shù)量，我們只要將單個(gè)芯片的邏輯BANK數(shù)量和位寬以及內(nèi)存條上芯片個(gè)數(shù)搞清楚。各個(gè)芯片位寬之和為64就是單物理BANK，如果是128就是雙物理BANK。

CPU工作時(shí)與BANK的關(guān)系

CPU工作時(shí)，每次只訪問一個(gè)物理BANK，這是因?yàn)橐粋€(gè)物理BANK的位寬是64Bit。CPU訪問的數(shù)據(jù)是存放在內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒上的，現(xiàn)在的芯片組設(shè)計(jì)時(shí)都是要求內(nèi)存條上每個(gè)芯片均承擔(dān)提供數(shù)據(jù)的任務(wù)，即內(nèi)存條上的每個(gè)顆粒都要負(fù)擔(dān)這64bit數(shù)據(jù)的一部分。

這就要牽扯到我們上文所說得位寬的問題了，如果內(nèi)存芯片的位寬是8位，那么用這個(gè)芯片組成內(nèi)存條只需要8顆芯片即完成了64位數(shù)據(jù)并發(fā)任務(wù)，如果是4位，那么就需要16顆芯片才能達(dá)到64bit的要求。當(dāng)內(nèi)存條顆粒設(shè)計(jì)為位寬為8位，16顆內(nèi)存顆粒的時(shí)候，內(nèi)存條的位寬就變?yōu)? x 16=128bit。所以就要設(shè)計(jì)為雙BANK。這是由于CPU一次只能處理64bit的數(shù)據(jù)所造成的。

以后隨著技術(shù)的進(jìn)步，128bit,256bit都是可以實(shí)現(xiàn)的。以上就是所謂的邏輯BANK和物理BANK。 雖然這些區(qū)別不是很大，但是卻往往造成不小的問題，讓人頭痛。舉一個(gè)較古老的例子：曾經(jīng)有一款大度256M內(nèi)存采用單面了設(shè)計(jì)，僅有一組物理BANK。但是由于INTEL(Intel440BX，i815)芯片組只能正確識(shí)別單物理BANK最高容量為128M，這種情況造成大部分INTEL主板就無法完全使用大度256M內(nèi)存的全部容量，只可以使用一半128M。

事實(shí)上很多類似的大容量內(nèi)存不能為一些舊型號(hào)主板支持的主要原因就是芯片組對(duì)內(nèi)存芯片的邏輯BANK數(shù)據(jù)深度有一定限制。我們知道芯片的容量主要由三個(gè)參數(shù)決定，首先是邏輯BANK的單元格數(shù)(數(shù)據(jù)深度)，其次是邏輯BANK的位數(shù)。最后是邏輯BANK的個(gè)數(shù)。三者相乘得到芯片的容量。

大度內(nèi)存256MB之所以不能在440BX上用，就是由于BX芯片組只支持內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度為4M，而不是8M，所以大度條子的內(nèi)存芯片在BX板上被識(shí)別成4×4×4=64Mbit(8MB)，而不是本來的8×4×4=128Mbit(16MB)，現(xiàn)在很多大容量的內(nèi)存沒有在BANK數(shù)和位寬上提高多少，基本都是增加芯片的數(shù)據(jù)深度，而這是需要芯片組支持的，象INTEL的LX/BX/810/815等老主板都只能支持最大4M，所以出問題再所難免。

單、雙面內(nèi)存孰好孰壞

那這是不是意味著單面內(nèi)存不好呢?答案是否定的，上述問題的罪魁禍?zhǔn)讘?yīng)該是INTEL芯片的SDRAM識(shí)別技術(shù)，VIA、ALI、SIS大部分芯片的主板就沒有問題。不過現(xiàn)在內(nèi)存廠商考慮兼容性的問題，已經(jīng)不生產(chǎn)單面256M的產(chǎn)品了，所以用戶一般不用考慮此環(huán)節(jié)。

另外如果在INTEL815芯片組的主板(如ASUS CUSL2)上插三條現(xiàn)代雙面128M的內(nèi)存，系統(tǒng)就會(huì)自動(dòng)把內(nèi)存的時(shí)鐘頻率降到PC100來使用，而且使用過程中很不穩(wěn)定，經(jīng)常死機(jī)。出現(xiàn)這種情況是因?yàn)椋琁NTEL815E芯片雖然有三個(gè)DIMM槽，但最多同時(shí)支持4組Bank運(yùn)行在PC133狀態(tài)下，如果超過四組就會(huì)自動(dòng)降至PC100。所以上述問題如果換用三條單面128M的內(nèi)存就迎刃而解。

我們?cè)僖詋ingmax為例。對(duì)比KingMax PC150 128M兩個(gè)版本的產(chǎn)品(MPGA83S-68KX3 單面128M和MPGA83S-88KX3 雙面128M)，從外形上不難發(fā)現(xiàn)，凡1.0版的內(nèi)存采用的都是16M×8，即單面八片結(jié)構(gòu)的，而1.2版本的則是8MB×8即雙面十六片結(jié)構(gòu)。

MPGA83S-68KX3

其實(shí)說了半天，也不是說單面內(nèi)存就一定比雙面內(nèi)存好，或者一定要在兩者之間區(qū)分伯仲。單、雙面內(nèi)存它們的本身沒有好壞，區(qū)別也很小，只不過看哪種封裝被主板芯片組支持的更好罷了。不可否認(rèn)的一點(diǎn)是，同等容量的內(nèi)存，單面比雙面的集成度要高，生產(chǎn)日期要靠后，所以工作起來就更穩(wěn)定。

但是升級(jí)內(nèi)存的用戶請(qǐng)注意，一定要盡量保證升級(jí)前后，內(nèi)存單、雙面的統(tǒng)一性，這樣可以最大程度的保證你系統(tǒng)的穩(wěn)定。同時(shí)，對(duì)于廣大想要對(duì)老主板升級(jí)的用戶來說，分清楚自己主板所支持的范圍是最重要的，當(dāng)然嘍，有些問題我們也可以通過升級(jí)新的主板bios達(dá)到支持的目的，但是這樣做的可操作性就不是很強(qiáng)了，要因人而異，因板而異了。