目前，人們多數(shù)使用的是基于Flash閃存的固態(tài)盤(pán)。相變存儲(chǔ)尚在實(shí)驗(yàn)室，DRAM固態(tài)盤(pán)采用常見(jiàn)內(nèi)存顆粒，數(shù)據(jù)需要額外的電源才能保存，使用者不多。

固態(tài)盤(pán)常見(jiàn)接口有SATA(普通PC使用的串行ATA接口)、PCI-Express(常見(jiàn)于顯卡設(shè)備的接口，特點(diǎn)在于高速)等多種。不同的接口，其實(shí)都是為了通用、高速的目的。

Flash的最小存儲(chǔ)單元是晶浮柵晶體管，對(duì)應(yīng)于磁盤(pán)中的一個(gè)bit的存儲(chǔ)單元。

磁盤(pán)中，利用磁極的不同來(lái)標(biāo)記0,1，當(dāng)磁頭掃過(guò)盤(pán)面，通過(guò)感應(yīng)電流就可以識(shí)別出不同狀態(tài)，即讀取數(shù)據(jù);增強(qiáng)磁頭的磁性，可以改變盤(pán)面記錄單元的狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

固態(tài)盤(pán)中，在存儲(chǔ)單元晶體管的柵(Gate)中，注入不同數(shù)量的電子，通過(guò)改變柵的導(dǎo)電性能，改變晶體管的導(dǎo)通效果，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同狀態(tài)的記錄和識(shí)別。有些晶體管，柵中的電子數(shù)目多與少，帶來(lái)的只有兩種導(dǎo)通狀態(tài)，對(duì)應(yīng)讀出的數(shù)據(jù)就只有0/1;有些晶體管，柵中電子數(shù)目不同時(shí)，可以讀出多種狀態(tài)，能夠?qū)?yīng)出00/01/10/11等不同數(shù)據(jù)。所以，F(xiàn)lash的存儲(chǔ)單元可分為SLC(一個(gè)蘿卜一個(gè)坑)和MLC(2個(gè)/多個(gè)蘿卜一個(gè)坑)兩種。

區(qū)別在于SLC的狀態(tài)簡(jiǎn)單，所以讀取很容易，MLC有多種狀態(tài)，讀取時(shí)，容易出錯(cuò)，需要校驗(yàn)，速度相對(duì)較慢。實(shí)際MLC的狀態(tài)識(shí)別過(guò)程比上述復(fù)雜很多，讀取一次MLC的功耗比SLC大很多。由于材料本身的緣故，SLC可以接受10萬(wàn)次級(jí)的擦寫(xiě)，而MLC材料只能接受萬(wàn)次級(jí)擦寫(xiě)操作，所以MLC的壽命比SLC少很多。但是，也是最重要的，由于MLC中的信息量大，同一個(gè)存儲(chǔ)單元，信息量是SLC的N倍，所以相同容量的磁盤(pán)，MLC類(lèi)型Flach成本更低，存儲(chǔ)單元體積更小，這也導(dǎo)致市面上多數(shù)固態(tài)盤(pán)都采用了MLC型的Flash顆粒。SLC由于其特性，僅在高端的高速存儲(chǔ)設(shè)備中使用。

有了上述介紹，不難理解，固態(tài)盤(pán)寫(xiě)入，就是改變晶體管里柵中電子數(shù)目的過(guò)程。讀出，就是向晶體管施加電壓，獲取不同導(dǎo)通狀態(tài)，對(duì)應(yīng)識(shí)別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程。

Flash顆粒便是大量這種浮柵晶體管的陣列，一般的U盤(pán)中會(huì)有1-2粒這種Flash顆粒，視容量而定;在SSD硬盤(pán)中，常見(jiàn)會(huì)有8-16粒Flash顆粒。

不過(guò)，用戶(hù)在使用過(guò)程中，對(duì)器件的負(fù)面特性并不需要擔(dān)心太多，生產(chǎn)廠(chǎng)商已經(jīng)做出了考慮。如，由于單個(gè)存儲(chǔ)單元的訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)有限，如果長(zhǎng)期在同一個(gè)區(qū)域重復(fù)讀寫(xiě)，會(huì)導(dǎo)致該存儲(chǔ)區(qū)域失效，進(jìn)而影響整塊盤(pán)的壽命。于是，業(yè)界研究了負(fù)載平衡技術(shù)，將用戶(hù)的訪(fǎng)問(wèn)請(qǐng)求均勻分布在所有存儲(chǔ)單元中，以延長(zhǎng)整個(gè)盤(pán)壽命。而這個(gè)“不要在一只羊身上薅羊毛”的事情，就是固態(tài)盤(pán)控制器的任務(wù)了。